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碳化硅长晶设备

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产品概述

卓远半导体的物理气相传输(PVT)系统是专为碳化硅晶体生长而设计。基本系统设计是基于线圏感应加热概念,可以生长直径 6/8英寸的晶锭。
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碳化硅长晶设备


Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶体生长系统是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。

 

产品优势

 

 

专为电力电子应用而设计

-适用于电力电子应用领域,自动化程度高,适合大批量生产

-占用空间小,布局紧凑

-Fab管理软件解决方案


低耗的线圈设计

-低功耗(稳定控制在约2200°C 12KW)

 

优秀的安全概念

-CE符合性

-不同级别的系统安全组件,确保安全操作

-质量测量和扩展的文档


智能控制系统

- iGOS全自动晶体生长程序:將图形化可编程软件和C+视觉软件整合在一起实现多种制程精确定制,将某些特定的工序优化压缩,从而提高效率。


智能自检系统

- 业内首创的PIM 自检系统 (Pre-inspection Model):这是一个生产流程前的系统检查,避免线路或者相关器件在生产过程中出现故障从而延误长晶周期的情况,有效的避免了不必要的制程时间浪费。


成品品质高

成品率属于国内领先、国际一流水平

-微管缺陷密度<1个/cm2

-单晶片电阻率达到0.015-0.028Ωcm(符合国际标准)


 

技术参数

序号

项目

内容

规格/参数

01

腔体

工作压力

≈1-900mbar

02

腔体

工作温度

最高2600°C

03

电源能耗

功率

最大60KW

04

电源能耗

频率

6-12 kHz

05

 

尺寸

2000(W)*1200(D)*2,800(H)mm

06

 

重量

1,300kg (带控制柜2000kg)

关键词:

PVT

物理气相传输法

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