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碳化硅衬底片

产品概述

卓远半导体通过全球首创的iGOWER视觉智能长晶机器人装置,采用PVT法生长的碳化硅衬底晶圆,增加了对原料进行预处理工艺技术,提高了原料的纯线和密度,减少了晶体中可能出现的缺陷。工艺水平处于国内前列。
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碳化硅衬底片


碳化硅衬底片是支撑电子电力行业不可或缺的重要材料,具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

 

技术参数

*N-Type & High purity SiC Wafer

序号

性质

4H碳化硅衬底

6H碳化硅衬底

01

直径

100+0/-0.5mm

150±0.2mm

02

厚度

350±25um

350±25um

03

电阻率

0.015~0.025Ω.cm

0.015~0.025Ω.cm

04

主定位边方向

{10-10}±5°

{10-10}±5°

05

主定位边长度

32.5±2.0mm

47.5±2.0mm

06

局部厚度变化

≤4um

≤5um

07

总厚度变化

≤10um

≤15um

08

弯曲度

≤25um

≤40um

09

翘曲度

≤35um

≤60um

10

表面粗糙度

Ra<0.5nm

Ra<0.5nm

11

划痕

None

None

12

崩边

None

None

13

多晶

None

None

14

六方空洞

Cumulative area≤0.05%

Cumulative area≤0.05%

15

表面污染物

None

None

关键词:

碳化硅衬底片

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