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第三代半导体长晶设备,引领行业发展

江苏卓远半导体有限公司成立于2018年,现占地面积90亩,公司自成立以来一直专注于宽禁带半导体晶体装备及其材料的研发生产与制造,拥有自主知识产权的晶体衬底材料制备核心技术,自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破了“瓦森纳协定”对我国半导体行业的技术封锁,目前金刚石MPCVD基片技术国内领先,碳化硅衬底技术位居国内前列......

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