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碳化硅外延片

产品概述

卓远半导体生产100mm/150mm碳化硅外延片,具有极佳的均匀性,外延厚度最高可达250um。针对不同规格要求,我们提供一套完整的碳化硅材料外延解决方案。
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碳化硅外延片


碳化硅外延工艺是半导体产业中的关键技术,以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片主要用于各种分立器件的制作,如肖特基二极管、MOSFET、JEET、BJT、IGBT、晶闸管等。这些器件广泛应用于光伏逆变器、混合电动汽车、太阳能和风能发电、UPS、马达控制、轨道机车、轮船和智能电网等系统领域。

 

技术参数

*100mm/150mm SiC Epi Wafer

序号

规格/参数

4H外延

6H外延

01

厚度(um)

11

~11

02

厚度范围

≤7%

≤8%

03

摻杂类型

N型或半绝缘型

N型或半绝缘型

04

掺杂水平(/cm3)

6E15~8E15

6E15~8E15

05

掺杂范围

≤13%

≤13%

06

缺陷密度(/cm3)

≤1.3

≤1.3

07

BPD 密度(/cm2)

≤0.1

≤0.1

08

表面粗糙度(nm)

Ra≤0.3

Ra≤0.3

*还有其他尺寸(如直径76.2mm、125mm)可供选择,也可根据客户要求定制 

关键词:

碳化硅外延片

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