卓远半导体公司成立于2018年，注册资金2651万元，现占地面积31亩，建设面积为1.8万平方米，公司自成立以来一直专注于第三代宽禁带半导体晶体材料及其装备的研发生产与制造，拥有自主知识产权的SiC衬底材料制备及芯片设计核心技术，自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破了“瓦森纳协定”对我国半导体行业的技术封锁，目前金刚石MPCVD基片技术国内领先，碳化硅衬底技术国内前列。

       公司组建了江苏省外国专家工作室、省级第三代半导体工程技术研究中心，牵头及参与起草制定了2项国家标准，申请专利45件，授权发明专利12件。公司现有职工100多人，科研人员占比超过20%，其中博士7人，2人获评“国家重大人才”专家，涵盖材料物理、材料化学、半导体材料、微电子、机电工程等专业，同时还有经验丰富的外籍专家支持，队伍精力充沛，力量雄厚，形成“以技术人才带动产业发展”的优势格局。

       公司先后获得高新技术企业、中国创新创业大赛“优秀企业”、省专精特新中小企业、潜在独角兽企业等荣誉；同时获批科技部高端外专项目、国家重大人才计划、省重点研发计划项目、省国际合作项目、省外专项目等，一年之内同时获批国家、省、市6个项目，且多个项目实现了如皋市“零”的突破。通过了ISO9001:2015质量体系认证，资信等级AAA。

       未来3-5年公司将立足于材料及其装备的根本优势，致力于提高第三代半导体材料及设备的研发能力，将主营业务从碳化硅、金刚石基础材料及生长装备往碳化硅分立器件、碳化硅模块等后道工序延伸，打造全产业链模式，目标成为中国半导体晶体装备及相关材料领域的独角兽企业。